직무 · 삼성전자 / 공정기술
DRAM Peri Tr. S/D Silicide 물질로 Co,Ni가 둘다 쓰이는지 궁금합니다. Peri Tr.중에 Co가 쓰이는게 있고 Ni가 쓰이는게 있고 이런식인 건가요??
2025.07.23
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대학생때는 공정기술 관련으로 쭉 공부해오다가 취직을 메모리 테스터 회사로 하게되었습니다. 그래서 현 회사에서는 테스트관련 PGM 짜는 공부를 하고 있습니다. 이러한 경험을 어필했을때 저 직무들 중에서 어떤 직무에 가장 어필이 잘 될까요..?
안녕하세요 현재 지거국 신소재공학과 4-2재학중인 대학생입니다 반도체 공정기술분야에 관심이있어 현재 생산기술연구원에서 PVD증착 분야로 현장실습을 올해7월부터 진행하고 있는데요 생산기술연구원에서 학연협동과정으로 석사학위를 취득할지 학사과정으로 취업에 도전할지 고민중입니다 현재 학점이 3.33이고 스펙 : 한국생산기술연구원 현장실습 오픽IM2 반도체 패키징관련 졸업논문 작성 이외에 뚜렷히 내세울 스펙은 따로 없습니다. 현재 상황에서 중견기업에 취업을 도전할지 학연과정을 통한 학위취득으로 개발업무나 장비사의 TDE,공정기술 직무등 석사학위이상을 요하는 직무로의 취업을 노릴지 고민되어서 글을 남깁니다 과제가 PVD증착이긴하지만 완전 반도체 분야는 아니어서 여기서 석사 학위를 딴다면 반도체 업계 취업에 도움이 될까요
안녕하세요? 반도체 공정설계/공정기술 관련 취준생입니다. 해당 분야로 교육 및 실습 등 스펙 쌓으면서 취준 중인데, 하반기 서류가 거의 안되다시피 했습니다. 와중에 반도체아카데미에서 주관 3주짜리 패키징테스트 교육을 신청했는데, 내용은 테스트프로그램 및 불량분석 등의 실습과 프로젝트를 진행할 수 있는 교육입니다. 교육의 퀄리티 면에서는 좋아보이나 사실 제가 준비해왔던 결이랑은 다르긴 합니다. 그리고 현재 서류부진으로 인해 할 수 있는 게 딱히 없다고 판단을 해서 교육이라도 들어야겠다는 생각을 했습니다. 결과가 안나온 서류들이 있어서, 추후 면접을 보러 가게 된다면 일정이 겹칠 위험성도 존재를 하긴 합니다. 현재 갈팡질팡한 상황이라서 질문드립니다.
대학생때는 공정기술 관련으로 쭉 공부해오다가 취직을 메모리 테스터 회사로 하게되었습니다. 그래서 현 회사에서는 테스트관련 PGM 짜는 공부를 하고 있습니다. 이러한 경험을 어필했을때 저 직무들 중에서 어떤 직무에 가장 어필이 잘 될까요..?
안녕하세요 현재 지거국 신소재공학과 4-2재학중인 대학생입니다 반도체 공정기술분야에 관심이있어 현재 생산기술연구원에서 PVD증착 분야로 현장실습을 올해7월부터 진행하고 있는데요 생산기술연구원에서 학연협동과정으로 석사학위를 취득할지 학사과정으로 취업에 도전할지 고민중입니다 현재 학점이 3.33이고 스펙 : 한국생산기술연구원 현장실습 오픽IM2 반도체 패키징관련 졸업논문 작성 이외에 뚜렷히 내세울 스펙은 따로 없습니다. 현재 상황에서 중견기업에 취업을 도전할지 학연과정을 통한 학위취득으로 개발업무나 장비사의 TDE,공정기술 직무등 석사학위이상을 요하는 직무로의 취업을 노릴지 고민되어서 글을 남깁니다 과제가 PVD증착이긴하지만 완전 반도체 분야는 아니어서 여기서 석사 학위를 딴다면 반도체 업계 취업에 도움이 될까요
안녕하세요? 반도체 공정설계/공정기술 관련 취준생입니다. 해당 분야로 교육 및 실습 등 스펙 쌓으면서 취준 중인데, 하반기 서류가 거의 안되다시피 했습니다. 와중에 반도체아카데미에서 주관 3주짜리 패키징테스트 교육을 신청했는데, 내용은 테스트프로그램 및 불량분석 등의 실습과 프로젝트를 진행할 수 있는 교육입니다. 교육의 퀄리티 면에서는 좋아보이나 사실 제가 준비해왔던 결이랑은 다르긴 합니다. 그리고 현재 서류부진으로 인해 할 수 있는 게 딱히 없다고 판단을 해서 교육이라도 들어야겠다는 생각을 했습니다. 결과가 안나온 서류들이 있어서, 추후 면접을 보러 가게 된다면 일정이 겹칠 위험성도 존재를 하긴 합니다. 현재 갈팡질팡한 상황이라서 질문드립니다.
답변 5
채택된 답변지원자님 안녕하세요~! DRAM Peri(Peripheral) Transistor의 소스/드레인(S/D) 영역에서 사용하는 실리사이드(Silicide) 물질로 Co와 Ni가 모두 쓰이는지에 대한 질문 주셨네요~! 정말 현업에서 중요하게 다뤄지는 포인트를 짚으셨어요~ 결론부터 말씀드리자면, DRAM Peri Tr.의 S/D Silicide 공정에서는 Co와 Ni가 모두 사용될 수 있고, 제품 세대나 공정 조건에 따라 선택적으로 적용되는 경우가 많아요~ 꼭 둘 다 동시에 쓰인다기보다는 제품 구조, 온도 budget, 접촉 저항 요구사항 등에 따라 Co-silicide(CoSi₂) 또는 Ni-silicide(NiSi) 중 하나를 채택하는 식이에요~ CoSi₂는 전통적으로 많이 쓰여왔던 실리사이드 물질로, 비교적 안정적이고 Thermal Stability가 우수해서 공정에 여유가 있는 경우에 많이 쓰였어요~ 하지만 미세화가 진행되면서 CoSi₂는 소자 크기가 작아질수록 접촉저항이 증가하고, Junction spiking 우려가 생기는 한계가 있었죠~ 그래서 최근에는 NiSi가 많이 주목받고 있어요~ – NiSi는 낮은 온도에서 형성 가능하고 – Si 소비량이 적고, – 저항이 낮아서 소자 크기가 작을수록 유리한 특성을 보여줘요~ 특히 FinFET이나 Gate-last 공정 기반에서는 NiSi를 더 선호하는 경향이 있어요~ 다만, Ni는 thermal stability가 Co에 비해 조금 약하고, process margin이 좁을 수 있어서 모든 Peri Tr.에 바로 적용하기보다는 제품 특성에 따라 Co와 Ni 중 최적의 재료를 선택해서 적용하는 식으로 운영되는 경우가 많답니다~ 즉, DRAM Peri Tr. 내에서도 일부 라인업에는 Co가, 또 다른 세대나 설계에는 Ni가 쓰일 수 있는 구조예요~ 꼭 공정마다 고정된 게 아니라, 설계 Rule, Reliability spec, 저항 target 등을 고려해서 조정된다고 보시면 돼요~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
